发明名称 陡源极汲极金属闸电晶体之形成
摘要 可利用闸极结构作为遮罩形成源极以及汲极区域。接着可移除闸极结构以形成间隙,并且可形成间隔体于间隙中以界定沟槽。于形成沟槽于基板内的过程中,移除源极汲极区域一部分。接着以磊晶材料回填该基板以及于其上形成新的闸极结构。藉此达成更陡之源极汲极接合。
申请公布号 TW200616152 申请公布日期 2006.05.16
申请号 TW094125624 申请日期 2005.07.28
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 尼克 林德;苏门 戴塔;杰克 卡瓦李耶罗;马克 杜西;马修 梅兹;贾斯汀 贝斯克;罗伯特 赵;马克 鲍尔;安拿 莫希
分类号 H01L21/8232;H01L21/18 主分类号 H01L21/8232
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国