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发明名称
陡源极汲极金属闸电晶体之形成
摘要
可利用闸极结构作为遮罩形成源极以及汲极区域。接着可移除闸极结构以形成间隙,并且可形成间隔体于间隙中以界定沟槽。于形成沟槽于基板内的过程中,移除源极汲极区域一部分。接着以磊晶材料回填该基板以及于其上形成新的闸极结构。藉此达成更陡之源极汲极接合。
申请公布号
TW200616152
申请公布日期
2006.05.16
申请号
TW094125624
申请日期
2005.07.28
申请人
英特尔股份有限公司
发明人
尼克 林德;苏门 戴塔;杰克 卡瓦李耶罗;马克 杜西;马修 梅兹;贾斯汀 贝斯克;罗伯特 赵;马克 鲍尔;安拿 莫希
分类号
H01L21/8232;H01L21/18
主分类号
H01L21/8232
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
美国
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