发明名称 单次可程式化唯读记忆体及其操作方法
摘要 一种单次可程式化唯读记忆体具有基底、选择电晶体、电极与介电层。选择电晶体设置于基底上。电极设置于选择电晶体之源极区上。介电层设置于电极与源极区之间,其中此记忆体藉由介电层是否崩溃来储存数位资讯。
申请公布号 TW200616208 申请公布日期 2006.05.16
申请号 TW093134064 申请日期 2004.11.09
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 杨青松;翁伟哲;卓志臣
分类号 H01L27/112;G11C17/08 主分类号 H01L27/112
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号