发明名称 | 单次可程式化唯读记忆体及其操作方法 | ||
摘要 | 一种单次可程式化唯读记忆体具有基底、选择电晶体、电极与介电层。选择电晶体设置于基底上。电极设置于选择电晶体之源极区上。介电层设置于电极与源极区之间,其中此记忆体藉由介电层是否崩溃来储存数位资讯。 | ||
申请公布号 | TW200616208 | 申请公布日期 | 2006.05.16 |
申请号 | TW093134064 | 申请日期 | 2004.11.09 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 杨青松;翁伟哲;卓志臣 |
分类号 | H01L27/112;G11C17/08 | 主分类号 | H01L27/112 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |