具有pn接合之化合物半导体磊晶基板之制造方法PROCESS FOR PRODUCING A COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING PN JUNCTION

摘要

为藉由选择成长法制造具有pn接合之化合物半导体磊晶基板之制造方法，其特征为：使用残留歪斜之平均值为1.0×10^–5的原基板之下述方法。