电极形成方法

摘要

本发明之目的在于提供透光性高、低电阻之透光性电极之制造方法。本发明之解决手段为半导体发光元件100，其系具有于蓝宝石基板上依序积层形成缓冲层102、未掺杂GaN层103、高载体浓度n^＋层104、n型层105、发光层106、p型层107、p型接触层108，于至少氧存在之环境下，藉由电子束蒸镀法或离子喷镀法形成，之后进行烧成而形成之ITO所形成之透光性电极110。