发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明系一种半导体装置之制造方法,其包含有以下步骤:于基板上形成光阻膜;于前述光阻膜上形成保护膜;于使第1液体介于前述保护膜与曝光用透镜之间的状态下,使前述光阻膜曝光;于使前述光阻膜曝光后,以氧化性的第2液体去除前述保护膜;及于去除前述保护膜后,使前述光阻膜显影以形成光阻图案。
申请公布号 TW200616101 申请公布日期 2006.05.16
申请号 TW094123053 申请日期 2005.07.07
申请人 东芝股份有限公司 发明人 大西廉伸;千叶谦治;河村大辅;伊藤信一;庄浩太郎;竹石知之
分类号 H01L21/47;G03F7/20;G03F7/30 主分类号 H01L21/47
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本