发明名称 |
半导体装置之制造方法 |
摘要 |
本发明系一种半导体装置之制造方法,其包含有以下步骤:于基板上形成光阻膜;于前述光阻膜上形成保护膜;于使第1液体介于前述保护膜与曝光用透镜之间的状态下,使前述光阻膜曝光;于使前述光阻膜曝光后,以氧化性的第2液体去除前述保护膜;及于去除前述保护膜后,使前述光阻膜显影以形成光阻图案。 |
申请公布号 |
TW200616101 |
申请公布日期 |
2006.05.16 |
申请号 |
TW094123053 |
申请日期 |
2005.07.07 |
申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
大西廉伸;千叶谦治;河村大辅;伊藤信一;庄浩太郎;竹石知之 |
分类号 |
H01L21/47;G03F7/20;G03F7/30 |
主分类号 |
H01L21/47 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
日本 |