半导体装置中形成绝缘膜的方法

摘要

本发明系有关于一种用以形成半导体装置之隔离膜的方法。依据本发明，该方法包括下列步骤：在一半导体基板中形成复数个沟槽；在该等形成之沟槽中形成一第一高密度电浆氧化膜；使用氟乙烷(C2F6)气体与氧气之混合气体实施一回蚀刻制程，以在形成有该第一高密度电浆氧化膜之既得整体表面上形成具有垂直侧壁之第一高密度电浆氧化膜；以及在完成该回蚀刻制程之既得整体表面上形成一第二高密度电浆氧化膜。因为最小化在该第一高密度电浆氧化膜上所形成之氟化玻璃(FSG)膜中的氟离子扩散，所以可改善装置之特性。