半导体元件及其制造方法

摘要

一电性可抹除可程式唯读记忆体(EEPROM)细胞，包含第一和第二助闸极(assist gate)于一电荷保留绝缘层之相对两侧。EEPROM记忆细胞中的电流会在反转层之间流动，此反转层为施加一偏压于该助闸极所产生的结果。此绝缘层可以含有氮化矽，位于通道区域上方的二氧化矽层之间，这些层可因此构成一介电堆叠，此堆叠之制造占用一相当小的区域。