| 主权项 |
1.一种晶膜生长方法,包含: 支撑基底支托上的半导体基底,且由金属汽相晶膜 而形成包含元素A,B,及C,或元素A,B,C,及D的第一复合 半导体层于半导体基底上;以及 由形成包含元素A及B的第二复合半导体层而形成 异质接面; 其中半导体基底的后面及基底支托间的空隙系由 使用在其后侧面具有翘曲的半导体晶圆,该翘曲不 超过20m,当作半导体基底而减少。 2.如申请专利范围第1项的晶膜生长方法,其中半导 体基底是InP基底,元素A是In,元素B是Ga,元素C是As,且 元素D是P,且 InGaAs层或InGaAsP层系由金属有机汽相晶膜而形成于 InP基底上,且接着, InP层系随后地生长。 3.如申请专利范围第1或2项的晶膜生长方法,其中 斜面系形成于基底的后面的周围边缘部分,且当斜 面对基底的后面的斜角系以 表示且晶圆的半径的 方向的斜面的长度系以L表示时,不超过150m的半 导体晶圆Ltan 系用作半导体基底。 4.如申请专利范围第3项的晶膜生长方法,其中斜面 的斜角 被设成在5至25的范围内且晶圆半径的方 向中的长度L被设成不少于100m。 图式简单说明: 图1是显示半导体晶圆的翘曲的解说图; 图2是显示用作本发明的实施例的基底的半导体晶 圆的经去角部分的形状的解说图; 图3是概要地显示实施例的晶膜表面的图; 图4是显示在实施例的范例的晶膜晶圆上实行的 SIMS的结果及比较范例的结果的图形;以及 图5是显示在实施例的范例的晶膜晶圆上实行的X 射线衍射测量的结果及比较范例的结果的图形。 |
