| 发明名称 | 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖住一部分所述第二电极表面、一部分露出的端面和一部分露出的n型半导体层表面的绝缘的透明保护膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1253948C | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN03145868.8 | 申请日期 | 1994.04.28 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖所述第二电极的绝缘的透明保护膜。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||