| 发明名称 | 具有改善构形的铜内连线结构以及制造内连线结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种半导体装置的铜内连线结构，该结构的表面区域的粗糙度大于20埃，且以大于100埃为较佳。铜内连线结构的表面区域与另一以离子轰击形成的粗糙表面互相接触，以解决铜内连线结构中电子漂移以及应力漂移的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1763921A | 申请公布日期 | 2006.04.26 |
| 申请号 | CN200510070988.X | 申请日期 | 2005.05.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 范淑贞;陈学忠 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种制造铜内连线结构的方法，其特征在于其至少包括下列步骤：提供一表面区域；使用能量化离子对该表面区域进行轰击制程，藉以形成粗糙的表面结构；以及沉积一铜金属共形于该表面区域上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||