| 主权项 |
1.一种有机发光二极体,包括: 一阴极; 一阳极;以及 一电子传输层,设置于该阴极与该阳极之间,其包 含一芴(fluorene)衍生物与一含金属之物质,其中该 芴衍生物之电子及电洞迁移率系大于约10-7平方厘 米/伏特.秒。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该电子传输层之厚度约50埃至5000埃。 3.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该芴衍生物与该含金属之物质之体积比约为0.5: 99.5至99.5:0.5。 4.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该芴衍生物与该含金属之物质之体积比约为80: 20至50:50。 5.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该芴衍生物系包括芴寡聚物。 6.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该含金属之物质系择自金属、金属氧化物、有 机金属盐及其混合物所组成之族群。 7.如申请专利范围第6项所述之有机发光二极体,其 中该金属系择自硷金属、硷土金属及其混合物所 组成之族群。 8.如申请专利范围第6项所述之有机发光二极体,其 中该金属氧化物之阳离子系择自锂离子、钠离子 、钾离子、铯离子、镁离子、钙离子、钡离子及 其混合物所组成之族群。 9.如申请专利范围第6项所述之有机发光二极体,其 中该金属氧化物之阴离子系择自氧离子、氟离子 、氯离子、溴离子、碘离子、碳酸根离子、硝酸 根离子、醋酸根离子及其混合物所组成之族群。 10.如申请专利范围第6项所述之有机发光二极体, 其中该有机金属盐之阳离子系择自锂离子、钠离 子、钾离子、铯离子、镁离子、钙离子、钡离子 及其混合物所组成之族群。 11.如申请专利范围第6项所述之有机发光二极体, 其中该有机金属盐之阴离子系包括碳数30以下之 脂肪族或芳香族有机阴离子。 12.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 更包括一发光层,设置于该阳极与该电子传输层之 间。 13.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体, 其中该发光层系由萤光发光材、磷光发光材或其 组合物所形成之单层或多层结构。 14.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该阴极与该阳极至少其中之一系为一透明电 极。 15.如申请专利范围第14项所述之有机发光二极体, 其中该阴极与该阳极系由金属、透明氧化物或其 组合物所形成之单层或多层结构。 16.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该阴极与该阳极之材质系相同。 17.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体, 更包括一电洞注入层或电洞传输层,设置于该阳极 与该发光层之间。 18.如申请专利范围第17项所述之有机发光二极体, 其中该电洞注入层系包括氟碳氢聚合物、紫质( porphyrin)衍生物、或掺杂p型掺质之双胺衍生物。 19.如申请专利范围第17项所述之有机发光二极体, 其中该电洞传输层系包括双胺衍生物。 20.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 包括一电子注入层,设置于该阴极与该电子传输层 之间。 21.如申请专利范围第20项所述之有机发光二极体, 其中该电子注入层系择自硷金属卤化物、硷土金 属卤化物、硷金属氧化物、金属碳酸化合物及其 混合物所组成之族群。 22.一种有机发光二极体之制造方法,包括: 提供一基板; 设置一阳极于该基板上; 设置一如申请专利范围第1项所述之电子传输层于 该阳极上;以及 设置一阴极于该电子传输层上。 23.如申请专利范围第22项所述之有机发光二极体 之制造方法,更包括于该阳极与该电子传输层之间 设置一发光层。 图式简单说明: 第1图系为本发明有机发光二极体结构之剖面示意 图。 第2图系为有机发光二极体使用寿命之比较图。 |
