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发明名称 LOW 1C SCREW DISLOCATION 3 INCH SILICON CARBIDE WAFER
摘要 A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 3 inches and a 1c screw dislocation density of less than about 2000 cm<SUP>-2</SUP>.
申请公布号 WO2006041659(A2) 申请公布日期 2006.04.20
申请号 WO2005US34351 申请日期 2005.09.27
申请人 CREE, INC.;POWELL, ADRIAN;BRADY, MARK;MUELLER, STEPHAN, G.;TSVETKOV, VALERI, F.;LEONARD, ROBERT, TYLER 发明人 POWELL, ADRIAN;BRADY, MARK;MUELLER, STEPHAN, G.;TSVETKOV, VALERI, F.;LEONARD, ROBERT, TYLER
分类号 C30B23/00 主分类号 C30B23/00
代理机构 代理人
主权项
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