发明名称 |
含碳矽烷系聚合物之形成被膜用组成物、及由该组成物所得之被膜 |
摘要 |
本发明为提供适合形成半导体配线形成使用的被膜之形成被膜用组成物,与使用该组成物所得之被膜。其系至少使用具有由下述式(1)(此处,R1、R2,各自独立表示氢或碳数1~20的烷基、m为0~20的整数)所示的重复单元之碳矽烷系聚合物(A),与溶剂(B)所构成的形成被膜用组成物。又,将由该形成被膜用组成物所成之涂膜经硬化而得到被膜。 |
申请公布号 |
TW200611924 |
申请公布日期 |
2006.04.16 |
申请号 |
TW094118589 |
申请日期 |
2005.06.06 |
申请人 |
东京应化工业股份有限公司 |
发明人 |
山下直纪;本好谦 |
分类号 |
C08G77/60;C08J5/18;H01L21/312 |
主分类号 |
C08G77/60 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |