发明名称 Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
摘要 Die Erfindung betrifft einen Lumineszenzdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge, die geeignet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren, und mit einer Konverterschicht, die auf mindestens einer Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist und die mindestens einen Leuchtstoff aufweist, der geeignet ist, einen Teil der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung zu konvertieren, wobei sich zumindest ein Teil der Sekundärstrahlung und zumindest ein Teil der unkonvertierten Primärstrahlung zu einer Mischstrahlung mit einem resultierenden Farbort überlagern. Die Konverterschicht ist gezielt zur Einstellung einer Abhängigkeit des resultierenden Farbortes von einem Betrachtungswinkel strukturiert. Weiterhin umfasst die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips, bei dem eine Konverterschicht gezielt strukturiert wird.
申请公布号 DE102004047727(A1) 申请公布日期 2006.04.13
申请号 DE200410047727 申请日期 2004.09.30
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 HOLZER, PETER;GUENTHER, EWALD KARL MICHAEL;EBERHARD, FRANZ;RICHTER, MARKUS
分类号 H01L33/50 主分类号 H01L33/50
代理机构 代理人
主权项
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