发明名称 激光照射装置和使用激光照射装置制造半导体器件的方法
摘要 本发明的一个目的是提供一种与传统的照射方法相比能够精确控制激光束的照射位置的激光照射方法。本发明的另一目的是提供一种使用这种能够用激光束精确照射大衬底的激光照射方法来制造半导体器件的方法。激光束的照射位置是通过使用发出激光束的激光振荡器、使激光束在照射对象上形成为矩形的光学系统、相对于激光束在束斑的长边方向和短边方向上移动照射对象的机构、在长边方向上比在短边方向上更缓慢地移动照射对象的机构、以及激光定位机构来控制的。
申请公布号 CN1758417A 申请公布日期 2006.04.12
申请号 CN200510071659.7 申请日期 2005.03.25
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 田中幸一郎;山本良明;上坂奈己
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/336(2006.01);B23K26/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘红;梁永
主权项 1.一种激光照射装置,包括:发出激光束的激光振荡器;用来使激光束在照射对象的表面上形成为具有短边和长边的拉长束斑的光学系统;在束斑的长边方向和短边方向上相对于激光束移动照射对象的机构;相对于激光束在束斑的长边方向上比在束斑的短边方向上更缓慢地移动照射对象的机构;以及激光定位机构;其中激光定位机构包括用来控制照射对象相对于激光束沿束斑的长边方向移动的机构。
地址 日本神奈川县厚木市