| 发明名称 | 使用于低驱动电压的铁电电容制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用于低驱动电压的铁电电容制造方法。此铁电电容的工艺首先在下电极上形成一层镍-镧氧化物(LaNiO<SUB>3</SUB>，LNO)层做为一层缓冲层，接着于其上使用溅射沉积(sputter deposition)的方法生长一层由钛酸铅锆(Pb(Zr<SUB>1-x</SUB>Ti<SUB>x</SUB>)O<SUB>3</SUB>，PZT)与铂(Pt)共同组成的铁电层，最后在铁电层上生长一层上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1251322C | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN02155770.5 | 申请日期 | 2002.12.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曾院介;王昭雄;吴泰伯 |
| 分类号 | H01L21/70(2006.01);H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/70(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红;徐金国 |
| 主权项 | 1、一种可使用于低驱动电压下的铁电电容制造方法，该方法至少包括：形成一下电极；形成一镍-镧氧化物缓冲层于该下电极上；形成一由钛酸铅锆与铂共同组成的铁电层于该缓冲层之上；执行一退火工艺，结晶化该钛酸铅锆与铂共同组成的铁电层成为一结晶层；以及形成一上电极于该结晶层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||