| 发明名称 | 半导体基材结构 | ||
| 摘要 | 一种半导体基材结构，此半导体基材包含了具有导电区域与非导电区域的基材，其中导电区域为铜导线所构成，且由电镀制程所形成。一合金层，形成于这些导电区域中，且该合金层由钴金属薄膜与铜金属薄膜经热处理制程所形成。 | ||
| 申请公布号 | CN2770096Y | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN200420059037.3 | 申请日期 | 2004.05.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 万文恺;林义雄;雷明达;彭宝庆;林正忠;林佳惠;刘埃森 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王燕秋 |
| 主权项 | 1.一种半导体基材结构，其特征在于，其至少包含：一基材，该基材上具有若干个导电区域与若干个非导电区域，且这些导电区域包含一第一金属薄膜，其中该第一金属薄膜由电镀制程所形成；以及一合金层，形成于这些导电区域，其中该合金层由一第二金属薄膜与该第一金属薄膜所形成，且该第二金属薄膜使用与该第一金属薄膜的不同材料所构成。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||