| 发明名称 | 信息存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种信息存储装置及其制造方法，有可能使作为多层体的信息记录元件最小化，同时不造成元件的电阻增加、功耗增加或可靠性下降，其中所述多层体包括铁磁层、半导体层和铁磁层。信息存储器件(1)包括写字线(11)、位线(21)及作为多层膜的信息存储元件(31)，其中位线(21)形成得在预定的间隔处与写字线(11)交叉，所述多层膜包括在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间设置的磁层。信息存储元件(31)包括在第二绝缘膜(53)中设置的凹入部分(54)及至少包括在凹入部分(54)中形成的磁层的多层膜，其中第二绝缘膜(53)在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1249815C | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN02803299.3 | 申请日期 | 2002.10.17 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 小室善昭;元吉真 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L43/08(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种信息存储装置，包括：形成在设于基片上的基础绝缘膜上的字线；每个以在预定的间隔处与所述字线交叉的方式形成的位线；以及信息存储器件，每一个器件都包括多层膜，所述多层膜设置在各所述字线与各所述位线之间；其特征在于：所述多层膜包括由铁磁材料制成的磁化固定层、隧道绝缘层和由铁磁材料制成的存储层；所述多层膜形成一位于所述字线和位线之间的绝缘膜中设置的凹入部分内；所述磁化固定层和隧道绝缘层沿所述凹入部分的内表面形成；以及所述存储层作为多层膜的顶层完全填满所述凹入部分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||