半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件，其中此半导体元件提供了一种闸极结构。此闸极结构包括导电部分以及高介电常数介电材料层，其中高介电常数介电材料层形成于导电部分下方且沿着导电部分之侧壁。除高介电常数介电材料层以外，亦可使用额外之闸极介电材料层，例如闸极氧化物。制造此闸极结构的方法包括形成开口于有机材料层中，再形成高介电常数介电材料层以及导电材料层于开口中与有机材料层上，接着利用化学机械研磨从闸极区以外之区域移除高介电常数介电材料层与导电材料层。