发明名称 蚀刻液组成物
摘要 提供一种可抑制发泡性且不致产生蚀刻后残渣的透明导电膜用蚀刻液。此蚀刻液组成物系含有透明导电膜用蚀刻液、与由聚磺酸化合物及聚环氧乙烷-聚环氧丙烷块状共聚物所构成的组群中至少选择一种化合物。
申请公布号 TWI252261 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW090122162 申请日期 2001.09.06
申请人 关东化学股份有限公司 发明人 石川典夫;森清人
分类号 C23F1/30 主分类号 C23F1/30
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种蚀刻液组成物,其特征在于:含有相对于该蚀 刻液组合物的全质量之浓度为含有高于0.1质量%低 于10质量%草酸的水溶液所构成之透明导电膜用蚀 刻液、与至少一种化合物选自相对于该蚀刻液组 合物的全质量之浓度为0.0001~10质量%聚磺酸化合物 及聚环氧乙烷-聚环氧丙烷块状共聚物之蚀刻液组 合物,其中该聚磺酸化合物系至少一种选自磺酸 甲醛缩合物及其盐类、聚苯乙烯磺酸及其盐类、 及木质磺酸及其盐类。 2.如申请专利范围第1项所述组成物,其中该透明导 电膜系氧化铟锡(ITO)膜。 3.如申请专利范围第1项所述组成物,系更进一步含 有磺酸盐型阴离子界面活性剂。 4.如申请专利范围第1项所述组成物,系更进一步含 有水溶性低碳数醇类。 5.如申请专利范围第4项所述组成物,其中该水溶性 低碳数醇类系至少一种选自甲醇、乙醇、正丙醇 、异丙醇及正丁醇。 6.如申请专利范围第4项所述组成物,其中该水溶性 低碳数醇类相对于蚀刻组合物的全质量浓度为1~10 质量%。
地址 日本