| 摘要 |
에칭 후에 반도체 기판에 이온 주입하여 확산층을 형성함으로써 반도체 장치가 제조되는 경우에, 제조되는 반도체 장치 사이에서 특성의 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기술을 개시한다. 반도체 장치(2)는 반도체 기판(10)을 갖는다. 반도체 기판(10)에는, 이미터 영역(12), 톱 바디 영역(14), 배리어 영역(16), 보텀 바디 영역(18), 드리프트 영역(20), 콜렉터 영역(22), 트렌치(30), 게이트 절연막(32) 및 게이트 전극(34)이 형성되어 있다. 게이트 전극(34)의 표면은 반도체 기판(10)의 표면보다 깊은 위치에 형성되어 있다. 게이트 전극(34) 중 트렌치(30)의 폭 방향 중앙의 제1 부분(34a)의 표면은, 게이트 절연막(32)에 접하는 제2 부분(34b)의 표면보다도 얕은 위치에 형성되어 있다. |
