使用T型图案来形成较小接触洞的方法

摘要

本发明系揭露一种使用T型图案来形成较小接触洞的方法，其系于一半导体基底上形成一氧化层、一硬罩幕层，及一化学增强型光阻层，利用一含氨的气氛使化学增强型光阻顶端的氢离子被氨离子捕捉，而使得化学增强型光阻层于图案化后，呈现T型图案，进而使对氧化层进行接触洞蚀刻时，能得到一尺寸较知制程小的接触洞。