| 摘要 |
Dispositivo spintrónico magnetoresistivo, su procedimiento de fabricación y sus aplicaciones. La presente patente describe la fabricación de dispositivos sensores del campo magnético cuyo funcionamiento está basado en el fenómeno de la magnetorresistencia balística (BMR). Este dispositivo spintrónico magnetoresistivo difiere de los otros existentes hasta la fecha en que los nanocontactos se forman por la inclusión de una o más partículas ferromagnéticas de tamaño micro y/o nanométrico situadas entre dos electrodos que hacen de contactos con deposiciones electroquímicas y/o incrustaciones metálicas adecuadas. La configuración de la partícula o las partículas que forman el área de contacto (así como, los materiales utilizados en los electrodos y en las partículas) puede variar. Los sensores magnéticos descritos muestran grandes valores de MR, pero lo que es más importante, estos dispositivos permanecen estables por largos períodos de tiempo. |
