薄膜电容元件和包括它的电子电路和电子器件

摘要

根据本发明的薄膜电容元件包括在第一电极层和第二电极层之间的由电介质材料形成的电介质层，该电介质材料包含具有由化学计量的组分化学式：(Bi₂O₂) ²⁺ (A_m－1B_mO_3m+1) ^2－表示的组分的铋层结构的化合物，这里符号m是正整数，符号A是从如下元素组中选择的至少一种元素：钠、钾、铅、钡、锶、钙和铋，符号B是从如下元素组中选择的至少一种元素：铁、钴、铬、镓、钛、铌、钽、锑、钒、钼和钨。具有上述构造的薄膜电容元件可以被形成得较薄且具有良好的温度补偿特性。

主权项

1.一种薄膜电容元件，包括在第一电极层和第二电极层之间的由电介质材料形成的电介质层，该电介质材料包含具有由化学计量的组分化学式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示的组分的铋层结构的化合物，这里符号m是正整数，符号A是从如下元素组中选择的至少一种元素：钠(Na)、钾(K)、铅(Pb)、钡(Ba)、锶(Sr)、钙(Ca)和铋(Bi)，符号B是从如下元素组中选择的至少一种元素：铁(Fe)、钴(Co)、铬(Cr)、镓(Ga)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、锑(Sb)、钒(V)、钼(Mo)和钨(W)，在符号A和/或B指定两个或更多元素时，元素比率任意确定。