积体电路及其制造方法

摘要

一EEPROM记忆体单元使用一射极复晶矽薄膜，以便制造浅源极／汲极区，以增加井区之崩溃电压。该等井区系制造成具有约100nm(约0.1微米(μm))之深度且具有约14伏特或更大之崩溃电压。在一双极制程中，一井区之典型崩溃电压约10伏特。由于完成崩溃电压之增加，因而EEPROM记忆体单元可与双极装置一起产生于单一积体电路晶片中及可在一共同半导体制造生产线上制造。