| 摘要 |
一种半导体装置，其目的是保护内部电路的电晶体免受半导体装置的冗余用熔丝的截面所产生之ESD电涌的影响。半导体装置的特征在于，包括添加了第一导电型杂质的半导体基板、在前述半导体基板表面上所形成的绝缘膜、在前述绝缘膜上所形成的熔丝、与前述熔丝电气连接，且添加第二导电型杂质而形成于前述半导体基板表面上之第一扩散层、与基板电位连接，且添加有较前述半导体基板所添加之第一导电型杂质浓度高的前述第一导电型杂质，形成于前述半导体基板表面上，并与前述第一扩散层、前述半导体基板一起构成二极体之第二扩散层以及与前述第一扩散层电气连接的电晶体。 |
