| 摘要 |
本发明系关于一种平面式光检测器之结构，其主要系在一基板上沉积出N型层、中性层及P型层所构成，该第一N型层系N型半导体(N–type Semiconductor)材料，该中性层系本徵半导体(Intrinsic Semiconductor)材料，该P型层系成P型半导体(P–type Semiconductor)材料，并包括：一第二N型层，系自该P型层之顶端面向下延伸，穿过该中性层，至第一N型层中，所形成之N^＋型半导体(N^＋–type Semiconductor)材料；一第一电极层，系形成于该P型层在顶端面上，并由导电之金属材料所构成，用以作为P型欧姆接触电极；以及一第二电极层，系配合第二N型层，于该第二N型层在顶端面上的金属导电层，用以作为N型欧姆接触电极。 |
