| 发明名称 | 涂层的处理方法及利用该方法制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在湿剥离光刻胶图案时SiO<SUB>2</SUB>涂层(夹层绝缘膜)不易受损伤的涂层处理方法。将在衬底上形成的低介电系数的SiO<SUB>2</SUB>类涂层，通过光刻胶图案进行蚀刻处理后，利用由氦气所产生的等离子体来处理上述的经蚀刻处理后的SiO<SUB>2</SUB>类涂层。通过这一方法，在后工序进行光刻胶图案的湿剥离处理时，不仅不会损伤到SiO<SUB>2</SUB>类涂层，而且可维持较低的介电系数。 | ||
| 申请公布号 | CN1245743C | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN02121528.6 | 申请日期 | 2002.04.30 |
| 申请人 | 东京応化工业株式会社 | 发明人 | 藤井恭;饭田启之;佐藤功;胁屋和正;横井滋 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1、一种涂层处理方法，包括如下步骤：在衬底上形成介电系数低于2.7的二氧化硅类涂层，所述二氧化硅类涂层是通过涂覆含有三烷氧基硅烷的液体形成的涂层膜；通过光刻胶图案蚀刻处理该二氧化硅类涂层；在所述蚀刻处理之后，用氦气产生的等离子体处理所述二氧化硅类涂层的被蚀刻表面；以及湿剥离处理上述光刻胶图案。 | ||
| 地址 | 日本川崎市 | ||