发明名称 |
电子束曝光装置 |
摘要 |
提供抑制了电子束的变动的电子束曝光装置以及电子束曝光方法。本发明的电子束曝光装置(100),通过在旋转形成保护层(resist)的圆形衬底(16)的状态下照射电子束(3)来进行曝光。该电子束曝光装置(100),具有:聚焦由电子枪(2)发射的电子束3的聚光透镜(4)、限制通过了聚光透镜(4)的电子束的电流控制窗孔(5)和使被电流控制窗孔(5)所限制过的电子束大致平行的照射透镜(6)。并且,通过根据圆形衬底(16)上的照射位置改变聚光透镜(4)的聚光度,来控制电子束的电流。 |
申请公布号 |
CN1747019A |
申请公布日期 |
2006.03.15 |
申请号 |
CN200510080007.X |
申请日期 |
2005.06.24 |
申请人 |
日立麦克赛尔株式会社 |
发明人 |
藤田盐地;近禅;杉山寿纪;井户宽 |
分类号 |
G11B7/26(2006.01);H01J37/305(2006.01) |
主分类号 |
G11B7/26(2006.01) |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郝庆芬 |
主权项 |
1.一种电子束(beam)曝光装置,其通过在旋转形成保护层(resist)的圆形衬底的状态下照射电子束(beam)来进行曝光,其特征在于:包括:发射所述电子束(beam)的电子枪;聚焦由所述电子枪发射的电子束(beam)的第一电子透镜(lens);限制通过了所述第一电子透镜(lens)的电子束(beam)的电流控制窗孔;使被所述电流控制窗孔(aperture)限制的电子束大致平行的第二电子透镜(lens);使通过所述第二电子透镜的电子束在所述圆形衬底成像的成像单元;和根据所述圆形衬底上的照射位置改变所述第一电子透镜的聚焦度的曝光电流控制单元。 |
地址 |
日本大阪府 |