| 发明名称 | 光电二极管组件及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供的光电二极管组件包括一位于一基底的一井区、一位于井区的浮置节点、及一位于与浮置节点的侧边上方的一浅沟槽隔离区域。一无边界接触点缓冲层，至少位于浮置节点上；以及一内层介电层，位于无边界接触点缓冲层上。一无边界接触点经由内层介电层及无边界接触点缓冲层而延伸至浮置节点。 | ||
| 申请公布号 | CN2765328Y | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN200420084335.8 | 申请日期 | 2004.07.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨敦年 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L31/10(2006.01);G01J1/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种光电二极管组件，其特征在于，包括：一井区，位于一基底内；一浮置节点，位于该井区；一浅沟槽隔离区，位于该浮置节点侧边的上方；一无边界接触点缓冲层，至少位于该浮置节点上；一介电层，位于该无边界接触点缓冲层上；及一无边界接触点，经由该介电层及该无边界接触点缓冲层以延伸至该浮置节点。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||