| 主权项 |
1.一种半导体热处理用反射板,系在圆板状或是环 状的光透过性材料组成的板状体内,密封配置着无 机材料组成的板状体者,其特征为: 与上述光透过性材料组成的板状体相接的无机材 料组成的板状体的至少一面的表面粗糙度为Ra0.1~ 10.0m,且于该面形成沟。 2.如申请专利范围第1项之半导体热处理用反射板, 其中,上述光透过性材料组成的板状体及上述无机 材料组成的板状体均为环状; 而形成于无机材料组成的板状体的沟,为直线状且 为从内周端连续于外周端的沟。 3.如申请专利范围第1项之半导体热处理用反射板, 其中,上述光透过性材料组成的板状体及上述无机 材料组成的板状体均为圆板状; 而形成于无机材料组成的板状体的沟,为直线状且 为从一外周端连续于与该外周端对向的另一外周 端的沟。 4.如申请专利范围第3项之半导体热处理用反射板, 其中,形成于上述无机材料组成的板状体的沟,为 通过该板状体的中心的沟。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之半导体热处 理用反射板,其中,形成于上述无机材料组成的板 状体的沟,有一至多个形成为以该板状体的同心圆 状。 6.如申请专利范围第5项之半导体热处理用反射板, 其中,藉由形成于上述无机材料组成的板状体的沟 ,将该板状体的表面区划为大致相等。 7.如申请专利范围第6项之半导体热处理用反射板, 其中,密封配置着上述无机材料组成的板状体的上 述光透过性材料组成的板状体的内部,系减压为200 torr以下。 8.如申请专利范围第1至4项中任一项之半导体热处 理用反射板,其中,在形成于上述无机材料组成的 板状体的沟的交叉位置,设置贯穿于上述板状体的 板厚方向的孔。 9.如申请专利范围第6项之半导体热处理用反射板, 其中,在形成于上述无机材料组成的板状体的沟的 交叉位置,设置贯穿于上述板状体的板厚方向的孔 。 10.如申请专利范围第8项之半导体热处理用反射板 ,其中,上述孔系设于上述无机材料组成的板状体 的中心部。 11.如申请专利范围第1项之半导体热处理用反射板 ,其中,形成于上述无机材料组成的板状体上的沟 的长度总和,为该板状体的外周长的1~10倍。 12.如申请专利范围第8项之半导体热处理用反射板 ,其中,形成于上述无机材料组成的板状体上的沟 的长度总和,为该板状体的外周长的1~10倍。 13.如申请专利范围第9项之半导体热处理用反射板 ,其中,形成于上述无机材料组成的板状体上的沟 的长度总和,为该板状体的外周长的1~10倍。 14.一种半导体热处理用反射板之制造方法,系在如 申请专利范围第1至4项中任一项之半导体热处理 用反射板之制造方法中,其特征为: 在光透过性材料组成的第1板状体,形成收容着一 面形成沟的无机材料组成的板状体的凹部,同时形 成贯穿于其底面的通气孔; 以形成上述沟的面与上述凹部底面相接的方式,于 凹部内收容着无机材料组成的板状体,由光透过性 材料组成的第2板状体覆被该凹部; 以1200℃以上的高温域,边透过通气孔排放上述凹 部内部的环境气体,边熔接处理第1板状体及第2板 状体;及 熔接处理后封闭上述通气孔。 15.一种半导体热处理用反射板之制造方法,其特征 为: 在光透过性材料组成的第1板状体,形成收容着一 面形成沟的无机材料组成的板状体的凹部,同时形 成贯穿于其底面形成的通气孔; 以形成上述沟的面与上述凹部底面相接的方式,于 凹部内收容着无机材料组成的板状体,由光透过性 材料组成的第2板状体覆被该凹部; 以1200℃以上的高温域,边透过通气孔排放上述凹 部内部的环境气体,边熔接处理第1板状体及第2板 状体;及 熔接处理后封闭上述抽气孔。 16.一种半导体热处理用反射板,系在圆板状或是环 状的光透过性材料组成的板状体内,密封配置着无 机材料组成的板状体者,其特征为: 与上述光透过性材料组成的板状体相接的无机材 料组成的板状体的至少一面的表面粗糙度为Ra0.1~ 10.0m,且于与上述无机材料组成的板状体相接的 上述光透过性材料组成的板状体的至少一面形成 沟。 17.如申请专利范围第16项之半导体热处理用反射 板,其中,上述光透过性材料组成的板状体及上述 无机材料组成的板状体均为环状; 而于光透过性材料组成的板状体的内周端及外周 端存在着熔接面,且形成于该板状体的沟,为直线 状且为从内周端的熔接面连续于外周端的熔接面 的沟。 18.如申请专利范围第16项之半导体热处理用反射 板,其中,上述光透过性材料组成的板状体及上述 无机材料组成的板状体均为圆板状; 于光透过性材料组成的板状体的外周端存在着熔 接面,且形成于该板状体的沟,为直线状且为从一 外周端的熔接面连续于与该外周端对向的另一外 周端的的熔接面的沟。 图式简单说明: 图1为显示半导体热处理用反射板之实施形态的俯 视图。 图2为沿着图1中之I-I线所作的图。 图3为显示图1所示无机材料组成的板状体的沟形 成面的俯视图。 图4为说明半导体热处理用反射板之制造方法用的 剖面图。 图5A、图5B为显示无机材料组成的板状体形成的沟 的变化例的俯视图,图5A为显示仅设置同心圆状的 沟的情况,图5B为显示仅设置为直线状,且为从内周 端连续于外周端的沟2c的情况的俯视图。 图6为显示形成于无机材料组成的板状体的贯穿孔 的变化例的俯视图。 图7为显示无机材料组成的板状体的变化例的俯视 图。 图8为显示习知半导体热处理用反射板的剖面图。 图9为说明习知半导体热处理用反射板之制造方法 用的剖面图。 |
