| 主权项 |
1.一种光阻组合物,其适用于低于200毫微米下曝光 且可降低电子及离子对光阻恶化之影响,其系包含 : a)一种不溶于硷性水溶液且含有至少一个对酸不 稳定的基团之聚合物,并且该聚合物大体上为非芳 香族的; b)一种当辐射时可产生酸之化合物;及 c)0.1至5重量%添加剂,其系选自由类、经取代的 类、、甲醇、甲醛、甘及经碘取代的 芳香族化合物组成之群。 2.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该添加 剂系选自由、甲醇、甲醛、氢、第三丁 基氢、甘及碘取代的苯所组成之群。 3.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该添加 剂系选自由9-甲醇、9-甲醛、四甲氧基甲基甘 及1,4-二碘四氟苯所组成之群。 4.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该聚合 物含有脂环族基团。 5.如申请专利范围第4项之光阻组合物,其中该聚合 物含有具侧脂环族基团之丙烯酸酯主链。 6.如申请专利范围第4项之光阻组合物,其中该聚合 物具有脂环族基团之主链。 7.如申请专利范围第4项之光阻组合物,其中该聚合 物系为马来酸酐与经取代及/或未经取代的脂环族 单体之共聚合物。 8.如申请专利范围第1项之光阻组合物,其中该聚合 物不含芳香族基团。 9.一种形成光阻图像之方法,其包含下列步骤: a)于具如申请专利范围第1项之光阻组合物之基板 上形成涂层,及于70℃至150℃烘烤该涂层历时30秒 至90分钟; b)使该光阻涂层于小于200毫微米之波长下进行有 关图像转移(imagewise)曝光;及 c)以含氢氧化四甲基铵之水性硷显影剂使该光阻 涂层显影。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中该有关图像 转移曝光系于波长193毫微米或157毫微米下进行。 11.如申请专利范围第9项之方法,尚包含电子熟化 步骤。 12.如申请专利范围第9项之方法,尚包含于扫描式 电子显微镜中检验该光阻图像。 |
