| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备以下 步骤: 在具有主动面用于形成多数个电子电路的基板之 该主动面侧,填埋而形成连接端子作为上述电子电 路之外部电极的步骤; 研磨上述基板背面使上述连接端子之一部分露出 的步骤; 于上述基板背面侧介由上述连接端子安装半导体 晶片的步骤; 藉由封装构件对上述基板上安装之上述半导体晶 片进行封装的步骤:及 将上述基板依据各电子电路形成区域之每一区域 切割成多数个半导体装置的步骤。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中 于上述基板之切割步骤,系由上述基板之主动面侧 进行该切割。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法, 其中 于上述基板之切割步骤,系以上述封装构件作为支 撑构件而切断上述基板。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 之制造方法,其中 于上述基板之切割步骤之前,具备检测步骤可以统 合检测各半导体装置。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 之制造方法,其中 于上述半导体晶片安装步骤之前,具备检测步骤可 以检测上述主动面上形成之各电子电路;于上述半 导体晶片安装步骤,系仅针对上述电子电路检测步 骤中设为良品之电子电路进行上述半导体晶片之 安装。 6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法, 其中 于上述半导体晶片安装步骤中,系针对上述电子电 路检测步骤中未设为良品之电子电路进行虚拟晶 片之安装。 7.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 之制造方法,其中 上述基板背面侧安装之半导体晶片具有贯通电极, 于上述半导体晶片安装步骤中,多数个半导体晶片 介由该贯通电极被积层。 8.一种半导体装置,其特征为: 藉由申请专利范围第1至7项中任一项之方法所制 造。 9.一种电路基板,其特征为具备:申请专利范围第8 项之半导体装置。 10.一种电子机器,其特征为具备:申请专利范围第8 项之半导体装置。 图式简单说明: 图1:本发明之半导体装置之制造方法使用之基板 之平面图。 图2:该半导体装置之制造方法之一例之步骤图。 图3:该半导体装置之制造方法之中,连接端子之形 成步骤说明用之步骤图。 图4:接续图3之步骤图。 图5:接续图4之步骤图。 图6:接续图5之步骤图。 图7:接续图2之步骤图。 图8:形成有再配置配线之基板之平面构造之模式 图。 图9:接续图7之步骤图。 图10:基板上积层之半导体晶片之制造用步骤图。 图11:于基板背面侧,多数个半导体晶片介由连接端 子或贯通电极被积层之状态图。 图12:基板之封装步骤及切割步骤之步骤图。 图13:接续图12之步骤图。 图14:藉由该半导体装置之制造方法制造的三次元 安装型半导体装置之概略构成之断面图。 图15:本发明之电路基板之一例之斜视图。 图16:本发明之电子机器之一例之斜视图。 |
