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发明名称
Insulating layer having low dielectric constant used for semiconductor, method for producing the same and precursor composition for producing the same
摘要
申请公布号
KR100559056(B1)
申请公布日期
2006.03.10
申请号
KR20000056275
申请日期
2000.09.25
申请人
发明人
分类号
H01L21/31
主分类号
H01L21/31
代理机构
代理人
主权项
地址
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