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1.一种合成性多孔结晶物之组成物,包括一种无机 、多孔 、非成层结晶相物质,经 烧后,该物质所显示之X射 线 绕射图形,在d-间隔大于1.8nm处至少有一个峰,且在6 . 7kpa(50torr)及25℃之情况下,每100公克该物质可吸附 大于15公克之苯;其中该结晶相具有下式所表示之 组成Mn /q(Wa Xb Yc Zd Oh)其中,M系一或多个离子;n系组成物 之电荷(但M系氧化物者除外);q系M之加权莫耳平均 价数 ;n/q系M之莫耳数或莫耳分数;W系包含第一行过渡金 属 或镁之一或多个两价元素;X系包含铝、硼、铬、 镓或铁 之一或多三个价元素;Y系包含矽或锗之一或多个 四价元 素;Z系包含磷之一或多个五价元素;a、b、c、及d分 别 为W、X、Y及Z之莫耳分数;h系自1至2.5之数;且(a+b+c+ d)=1。2.一种合成性多孔结晶物之组成物,包括一种 具有细孔直 径至少为1.3nm之大小均匀且呈六角形排列细孔之 无机、 多孔结晶相物质,且经 烧后,可显示六角形电子绕 射图 形,该图形可用大于1.8nm之d100値指示;其中该结晶 相 具有下式所表示之组成Mn/q(Wa Xb Yc Zd Oh)其中,M系 一或多个离子;n系组成物之电荷(但M系氧化物者除 外); q系M之加权莫耳平均价数;n/q系M之莫耳数或莫耳分 数; W系一或多个两价元素;X系一或多个三价元素;Y系 一或 多个四价元素;Z系一或多个五价元素;a、b、c、及d 分 别为W、X、Y及Z之莫耳分数;h系自1至2.5之数;且(a+b+ c+d)=1。3.如申请专利范围第2项之组成物,其中该结 晶相物质经 烧后之X射线绕射图形,至少有一个峰之d-间隔与电 子 绕射图形之d100値相对应。4.如申请专利范围第1或 2项之组成物,其中该结晶相物质 经 烧后之X射线绕射图形,至少有两个位置大于1.0 nm d -间隔之峰,至少一个位置大于1.8nm d-间隔之峰,以 及在小于1.0nm d-间隔之位置,没有相对强度大于最 强 峰之20%之峰。5.如申请专利范围第4项之组成物,其 中该物质在小于约1 .0nm d-间隔之位置,亦无相对强度大于最强峰之10% 之 峰。6.如申请专利范围第1或2项之组成物,其中(a+b+ c)大于d ,且h=2。7.如申请专利范围第1项之组成物,其中W包 括钴,X包括 铝,Y包括矽且Z包括磷。8.如申请专利范围第1或2项 之组成物,其中a及d为0且h= 2。9.如申请专利范围第8项之组成物,其中X包括铝 且Y包括 矽。10.如申请专利范围第1项之组成物,该组成物 之X射线绕 射图形,大致分别如第1至14,21及25至28图所示。11. 一种合成如申请专利范围第1或2项之组成物之方 法, 包括使以氧化物之莫耳比例表示,具有在下列组成 范围之 反应混合物维持在25至250℃之温度及9至14之pH値结 晶5 分钟至14天:其中,e及f分别为M及R之加权平均价数, 其 中,溶剂系C1至C6醇或二醇,或水,且其中R包括一种 具 有R1R2R3R4Q+式之有机定向剂,其中,Q系氮或磷,R1. R2.R3.及R4中,至少有一个系含有6至36个碳原子之芳 基或烷基,其余之R1.R2.R3及R4,分别系选自氢及含有 1至5个碳原子之烷基。12.如申请专利范围第11项之 方法,其中该反应混合物以 氧化物之莫耳比表示具有介于下列范围之组成:13. 如申请专利范围第11或12项之方法,其中该有机定 向 剂系选自十六烷基三甲铵、十六烷基三甲鏻、十 八烷基三 甲鏻、苄基三甲铵、十六烷基 啶嗡、十四烷基三 甲铵、 癸基三甲铵、十二烷基三甲铵及二甲基二[十二烷 基]铵 化合物。14.如申请专利范围第11或12项之方法,其 中R包括额外添 加之有机定向剂,此定向剂具有与如申请专利范围 第13项 之方法所述之定向剂相同之化学式,但其中各R1.R2. R3 及R4系选自氢及含有1至5个碳原子之烷基。15.如申 请专利范围第14之方法,其中该额外有机定向剂 系选自四甲铵、四乙铵、四丙铵及四丁铵化合物 。16.如申请专利范围第11或12项之方法,其中R包括 一种辅 助有机物,该辅助有机物系选自(1)芳族烃与含有5 至20个 碳原子之胺,及其卤素-及C1至C14烷基-取代之衍生 物 ,(2)单环及多环脂族烃与含有5至20个碳原子之胺, 及其 卤素-及C1至C14烷基-取代之衍生物及(3)直链及支链 脂 族烃与含有3至16个碳原子之胺,及其卤素-取代衍 生物 。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该辅助有 机物系 对二甲苯、三甲苯、三乙苯或三异丙苯。18.如申 请专利范围第16项之方法,其中辅助有机物/YO2 之莫耳比为0.05至20。19.如申请专利范围第16项之 方法,其中辅助有机物/有 机定向剂之莫耳比为0.02至100。20.如申请专利范围 第11项之方法,其中结晶作用系在50 |
