| 主权项 |
1.一种金属箔片,其在其之表面上系有二重叠之电 积形成 层,(a)和(b),其中:该邻接于该表面上之第一电积形 成 层(a)系包含有一具粉末性质之树枝状金属沈积物, 该枝 状金属沈积物系包含有一主要分量为第一种金属 之组成, 及该第二叠置层(b)系包含有一均匀地沈积在该第 一电积 形层上之光亮金属,在此,该第二叠置层系包含有 一主要 分量为第二种金属而非该第一种金属之组成,其中 ,该光 亮金属系是用来使该第一电积形成层上之该具粉 末性质之 树枝状金属沈积粘着于该金属箔片上。2.如申请 专利范围第1项之箔片,其中,该箔片是为一铜 箔,该树枝状沈积物是为铜金属树枝状沈积物,而 该光亮 金属是为一光亮之镍金属。3.如申请专利范围第1 项之箔片,其中,该箔片是为一铜 箔,该树枝状沈积物是为铜金属树枝状沈积物,而 该光亮 金属是为一光亮之锡、钯、铂、银、金或是铟等 金属。4.如申请专利范围第1项之箔片,其中,该箔 片是为一铜 箔,该树枝状沈积物是为锌金属树枝状沈积物,而 该光亮 金属是为一光高之镍金属。5.如申请专利范围第1 项之箔片,其中,该箔片是为一铜 箔,该树枝状沈积物是为锌金属树枝状沈积物,而 该光亮 金属是为一光亮之锡、钯、铂、银、金或是铟等 金属。6.如申请专利范围第1项之箔片,其中,该光 亮金属不包 含有黄铜金属,且该箔片进一步包含有一被插置介 于该第 一电积形成层和该第二电积形成层间之黄铜金属 层。7.如申请专利范围第1项之箔片,其中,该第二 电积形层 之平均厚度是大约不大于该第一电积形成层之该 平均断面 高度尺寸之10%。8.如申请专利范围第1项之箔片,其 中,该光亮金属有一 大约不大于0.3微米之平均厚度。9.如申请专利范 围第1项之箔片,其中,该箔片在基于GE- FR4叠层上系有一致少大约为每英寸长度为12磅之 剥离强 度。10.一种电子装置,其系至少包含有一依据申请 专利范围 第1项所界定之金属箔片。11.如申请专利范围第10 项之电子装置,其中,该装置是 为一印刷电路板。12.如申请专利范围第10项之电 子装置,其中,该装置是 为一固态开关。13.一种用来制造一具有改良剥离 强度之金属箔片之方法 ,其包含有:(A)在该箔片之一表面上来电积形成一 第一 种金属,以来产生一具粉末性质之树枝状金属沈积 物;(B )在该由步骤(A)所产生之该树枝状金属沈积物上来 电积形 成一均匀的光亮金属,该光亮金属系包含有一主要 分量为 第二种金属之组成,而非是为该步骤(A)所采用之第 一种 金属。14.如申请专利范围第13项之用来制造一具 有改良剥离强 度之金属箔片之方法,其中,该第一种金属是为铜 金属而 该第二种金属是为镍金属。15.如申请专利范围第 14项之用来制造一具有改良剥离强 度之金属箔片之方法,其中,该步骤(B)所实施之电 积形 成,其是在一平均电流密度低于每平方英尺300安培 之情 况下来被操作。16.如申请专利范围第14项之用来 制造一具有改良剥离强 度之金属箔片之方法,其中,该步骤(B)所实施之电 积形 成,其是在一平均电流密度低于母平方英尺200安培 之情 况下来被操作。17.如申请专利范围第16项之用来 制造一具有改良剥离强 度之金属箔片之方法,其中,该步骤(B)系是包含有 一将 该箔片浸渍在一含水之电积形成槽中,其中,该含 水之电 解液系是有一大约最高至5.0之酸硷度和维持在一 至少高 于30℃之高温下,同时,在每一公升之电解液中系至 少含 60公克之镍金层。18.如申请专利范围第13项之用来 制造一具有改良剥离强 度之金属箔片之方法,其中,该光亮金属系是有一 厚度, 该厚度是大约不大于该该树枝状构建自该金属箔 片相对该 介于树枝状构建凹谷处之平均深度之该平均高度( 平均横 断面高度)之10%。19.如申请专利范围第13项之用来 制造一具有改良剥离强 度之金属箔片之方法,其中,该光亮金属系是有一 厚度, 该厚度是大约不大于该该树枝状构建自该金属箔 片相对该 介于树枝状构建凹谷处之平均深度之该平均高度( 平均横 断面高度)之5%。20.如申请专利范围第19项之用来 制造一具有改良剥离强 度之金属箔片之方法,其中,该第二种金属是为镍 金属。 |
