| 发明名称 | 氮化物基化合物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明通过在氮化物基化合物半导体发光器件制造工艺中芯片分割时抑制剥落和抑制在半导体层中的短路，提供一种具有良好特性且确保高可靠性的氮化物基化合物半导体发光器件。所述半导体发光器件，具有第一欧姆电极(2)、第一焊接金属层21、第二焊接金属层(31)和第二欧姆电极(3)，依次设置在导电衬底(1)上，且还具有氮化物基化合物半导体层(60)，设置在第二欧姆电极(3)上。第二欧姆电极(2)的表面被暴露。 | ||
| 申请公布号 | CN1744337A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510099610.2 | 申请日期 | 2005.08.30 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 幡俊雄 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种氮化物基化合物半导体发光器件，其具有依次设置在导电衬底(1)上的第一欧姆电极(2)、第一焊接金属层(21)、第二焊接金属层(31)和第二欧姆电极(3)，还具有设置在第二欧姆电极(3)上的氮化物基化合物半导体层(60)，其中所述第二欧姆电极(3)的表面被暴露。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||