发明名称 移除金属氧化物的方法、接触结构及其形成方法、以及化学机械研磨装置之清洁设备
摘要 本发明乃揭露一种形成接触结构之方法、接触结构及其形成方法与所应用之装置。形成接触结构之方法乃包括于一基底上形成一介电层,于此介电层中形成一金属接触,而此金属接触乃具有一金属氧化物位于其上方,以及藉使用温度高于约10℃的水或温度高于约15℃的化学品以增进金属氧化物的溶解度。
申请公布号 TW200608464 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW094121575 申请日期 2005.06.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 彭双能;陈俊宏;黄循康;方文良
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号