先制造沟渠之双重金属镶嵌制程

摘要

一种先制造沟渠之双重金属镶嵌制程。此制程包含下列步骤。首先，提供一基材，此基材上具有复数个半导体元件。接着形成一第一金属层、第一蚀刻终止层、介电层、第二蚀刻终止层于其上。然后，形成一沟渠于介电层之一预定深度。接着填入一牺牲层至此沟渠中，再将此牺牲层平坦化后，形成光阻层于其上，以进行一介层窗之蚀刻。然后将牺牲层与光阻层去除，并将第一蚀刻终止层蚀穿后，填入第二金属层。