发明名称 覆晶接合制程及覆晶封装制程
摘要 一种覆晶接合制程,适用于一晶片与一导线架之间的电性接合,其中晶片之主动表面具有多数个凸块,且凸块之顶端以浸渍的方式先沾附一含导电微粒之焊剂,接着凸块再对应接触于导线架之一引脚上,并回焊凸块,以使晶片藉由凸块(及其导电微粒)而与导线架之引脚电性连接。其中,导电微粒例如为一锡粉,其在高温回焊过程中,可融入于凸块中,以确保晶片与引脚之间有良好的电性接触。
申请公布号 TW200608545 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW093126134 申请日期 2004.08.31
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 刘千;王盟仁
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号