| 摘要 |
在本发明一具体例中，提出一种在一制程室之基材表面上沉积含钽膜层的方法，其系使用原子层沉积制程(ALD)，将基材表面依序暴露在一含钽前驱物和至少一第二前驱物下以沉积出一含钽材料。该钽前驱物一般为第三戊亚胺–参(二甲胺基)钽(TAIMATA)。重复进行ALD制程，直到基材上该含钽材料的厚度达到事先预定的厚度为止。通常，在以脉冲方式引导含钽前驱物进入制程室之前，先将TAIMAATA预热。含钽材料可以是钽、氮化钽、氮化钽矽、氮化钽硼、氮化钽磷或氧氮化钽。含钽材料可沉积作成阻障层、或中介窗的附着层、或作为源／汲极元件的闸极材料。本发明中的实施例，包括沉积含钨、铜、或钌的薄层在该含钽材料上。 |
