发明名称 影像感测元件的晶圆级封装结构及其封装方法
摘要 一种影像感测元件的晶圆级封装结构及其封装方法,系将表面具有复数个光侦测区之基板形成影像感测元件的晶圆级封装结构,再将封装结构分离为独立元件,封装方法为先提供具有复数个晶片之基板,晶片表面具有光侦测区与复数个导电接点,再提供表面具有导电线路与预定切割区之透明层,并使基板之导电接点与透明层之导电线路接合,形成保护层于每一晶片并露出部分的导电线路,再形成导电层于保护层上以连接于保护层所外露之导电线路,即完成晶圆级封装结构,最后,根据预定切割区分离透明层以形成已封装之独立元件。
申请公布号 TWI250655 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW093123228 申请日期 2004.08.03
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 黄元璋;陈泰宏;林耀生;陆苏财
分类号 H01L31/00;H01L23/48 主分类号 H01L31/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种影像感测元件的晶圆级封装方法,其包含有: 提供一基板,该基板表面系具有复数个光侦测区与 复数个导电接点,该导电接点系提供每一该光侦测 区之对外电性连接; 提供一透明层,该透明层表面系具有复数个对应于 该基板之该导电接点的导电线路; 接合该基板表面与该透明层表面,使该导电接点导 通于该导电线路; 分离该基板为复数个晶片,使每一该光侦测区及其 对应的该导电接点设置于独立的该晶片; 形成一保护层于每一该晶片,并露出部分的该导电 线路; 形成一导电层于该保护层上,该导电层系连接于该 保护层所外露之该导电线路;及 根据该晶片与其对应之该导电线路位置,分离该透 明层。 2.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的晶 圆级封装方法,其中该光侦测区系为光侦测元件阵 列。 3.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的晶 圆级封装方法,其中该导电接点系包含导电凸块。 4.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的晶 圆级封装方法,其中该导电线路系包含复数个导电 凸块,每一该导电凸块系对应地接合于该导电接点 。 5.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的晶 圆级封装方法,其中该分离该基板为复数个晶片的 步骤之前,更包含一薄化该基板步骤。 6.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的晶 圆级封装方法,其中该形成一保护层于每一该晶片 的步骤,系涂布一光阻层于该玻璃基板以覆盖每一 该晶片,再以光微影方法使该光阻层形成该保护层 。 7.一种影像感测元件的晶圆级封装结构,系由一基 板所形成,其表面具有复数个光侦测区,其包含有: 复数个晶片,系自该基板分离而成,每一该晶片表 面系具有该光侦测区与复数个导电接点,该导电接 点系提供该光侦测区之对外电性连接; 一透明层,该透明层表面系具有复数个导电线路与 一个以上之预定切割区,该基板表面系接合该透明 层表面,使该导电接点导通于该导电线路,该预定 切割区系根据每一该晶片与其对应之该导电线路 位置设置; 一保护层,系形成于每一该晶片,并露出部分的该 导电线路;及 一导电层,系形成于该保护层上,该导电层系连接 于该保护层所外露之该导电线路。 8.如申请专利范围第7项所述之影像感测元件的晶 圆级封装结构,其中该光侦测区系为复数个光侦测 元件阵列。 9.如申请专利范围第7项所述之影像感测元件的晶 圆级封装结构,其中该导电接点系包含导电凸块。 10.如申请专利范围第7项所述之影像感测元件的晶 圆级封装结构,其中该导电线路系包含复数个导电 凸块,每一该导电凸块系对应地接合于该导电接点 。 11.如申请专利范围第7项所述之影像感测元件的晶 圆级封装结构,其中该分离该基板为复数个晶片的 步骤之前,更包含一薄化该基板步骤。 12.如申请专利范围第7项所述之影像感测元件的晶 圆级封装结构,其中该保护层系为光阻层。 图式简单说明: 第1图至第6图为影像感测元件的晶圆级封装流程 之放大截面示意图; 第7图为本发明所形成之另一封装元件示意图;及 第8图为本发明之矽基板与透明层之另一种接合方 法的示意图。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号