| 发明名称 |
Verfahren zum Aufwachsen einer Dünnschicht aus monokristallinem Silizium aus der Gasphase |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE69731017(T2) |
申请公布日期 |
2006.02.23 |
| 申请号 |
DE19976031017T |
申请日期 |
1997.02.19 |
| 申请人 |
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. |
发明人 |
HABUKA, HITOSHI |
| 分类号 |
C30B25/14;C30B25/02;C30B29/06;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/14 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
