首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD OF FORMING DUAL GATE OXIDE OF SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要
申请公布号 KR20060017171(A) 申请公布日期 2006.02.23
申请号 KR20040065741 申请日期 2004.08.20
申请人 DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC. 发明人 KIM, HAG DONG
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com