首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Integrierter SOI-Halbleiterschaltkreis und Herstellungsverfahren hierfür
摘要
申请公布号 DE10143256(B4) 申请公布日期 2006.02.23
申请号 DE20011043256 申请日期 2001.08.30
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, SOO-CHEOL;LEE, TAE-JUNG
分类号 H01L27/08;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/092;H01L27/12;H01L29/786 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com