| 发明名称 | 具有增大电容耦合的迹线的制造方法及相应的迹线 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具增加电容性耦合迹线的制造方法，及相应迹线。一种在第一电介质(2)上形成的沟槽结构形成具拥有第一纵横比(t1/b1)的电容器区域(KB)及连接于其及具第二纵横比(t2/b2)的互连区域(LB)。在此情况下，该互连区域(LB)的沟槽结构乃完全由第一互连(3L)填充，然而该电容器区域(KB)的沟槽结构仅部分地由第一电容器电极(3E)填充及由电容器电介质(4A)及第二电容器电极(5E)完全填充。在形成于其上的第二电介质(7)上，形成具接触通孔(V2)的第二互连(8L)，其连接至该第二电容器电极。具增加电容性耦合的迹线可以此方式而以降低成本的方式实现。 | ||
| 申请公布号 | CN1738025A | 申请公布日期 | 2006.02.22 |
| 申请号 | CN200510091745.4 | 申请日期 | 2005.08.17 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·－J·巴思;J·霍尔兹 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L23/52(2006.01);H05K1/16(2006.01);H05K3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造具有增大电容耦合的迹线的方法，其包括以下步骤：a)于载体衬底(1)上形成第一电介质(2)；b)在包含具有第一纵横比(t1/b1)的电容器区域(KB)及连接于其并具第二纵横比(t2/b2)的互连区域(LB)的该第一电介质(2)上形成沟槽结构，第二纵横比对应于至少三倍该第一纵横比；c)沉积第一电传导层(3)至经图案化的第一电介质(2)直到该沟槽结构已在该互连区域(LB)完全填满；d)在该第一电传导层(3)上形成电容器电介质(4)；e)沉积第二电传导层(5)至该电容器电介质(4)直到该沟槽结构已于该电容器区域(KB)完全填满；f)平面化该层结构远至该第一电介质(2)以实现第一互连(3L)，连接至该第一互连(3L)的第一电容器电极(3E)，及第二电容器电极(5E)，所述第二电容器电极藉该电容器电介质(4A)而与该第一电容器电极绝缘；g)在具第二互连(8L)及至少一个接触通孔(V2)的层结构的平面化表面形成第二电介质(7)，以连接该第二电容器电极(5E)至第二互连(8L)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||