| 主权项 |
1.一种光化辐射起敏性聚合物组成物,包括(a)聚醯 亚胺先质,其系经由下述方式所获得者:使包含通 式(1): 所代表之结构单元之聚合物, 且另外包含下列通式(2)及/或通式(3)所代表之结构 单元 及/或 的聚合物 (其中R1是具有至少两个碳原子之三或四价有机基 团,R2是具有芳族环之6至35个碳原子之一个二价有 机基团且k是0或1) 与自0.4至5莫耳当量(以聚合物中羧基基团计)的通 式(4)所代表之一种胺化合物进行反应: (其中R3,R4和R5每一者独立代表氢或具有1至30个碳 原子之有机基团,其中,至少一者是具有一个光可 交联基团之有机基团) 而获得该聚醯亚胺先质,及 (b)一种光引发剂及/或光敏剂, 其特征为:聚醯亚胺先质的醯亚胺化度Ia是0.03≦Ia ≦0.6,其中,自该聚合物组成物所形成之10微米厚度 的预烘焙薄膜具有在365nm波长下,至少2%但不超过40 %之透射率。 2.如申请专利范围第1项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,醯亚胺化度Ia是0.06≦Ia≦0.5。 3.如申请专利范围第2项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,醯亚胺化度Ia是0.08≦Ia≦0.4。 4.如申请专利范围第3项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,醯亚胺化度Ia是0.1≦Ia≦0.35。 5.如申请专利范围第1项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,该预烘焙薄膜的透射率是不超过30% 。 6.如申请专利范围第5项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,该预烘焙薄膜的透射率是至少4%,但 不超过30%。 7.如申请专利范围第6项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,该预烘焙薄膜的透射率是不超过20% 。 8.如申请专利范围第7项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,该预烘焙薄膜的透射率是不超过15% 。 9.如申请专利范围第1项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,通式(1),(2)及/或(3)中,至少15莫耳%的R1 包括苯均四酸之残余基团。 10.如申请专利范围第1项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,通式(1),(2)及/或(3)中,自3至20莫耳%的R 2包括含有一个脂族基团(其具有矽氧烷键合)之二 胺的残余基团。 11.如申请专利范围第1项之光化辐射起敏性聚合物 组成物,其中,通式(1),(2)及/或(3)中,至少20莫耳%的R2 系经由选自通式(6)和(7)之至少一个二胺残余基所 代表: (Y1,Y2和Y3独立代表-O-,-S-,-CH2-,-C(CH3)2-,-C(CF3)2-,-SO2- 或一个单键) (R6与R7独立代表CH3-,CF3-,C2H5-,C2F5-,(CH3)3C-,F,CH3O-或一 个苯基基团)。 12.一种制备如申请专利范围第1项之光化辐射起敏 性聚合物组成物之聚醯亚胺先质组成物的方法,此 方法包括使具有羧基基团之聚(醯胺基酸)辐射起 敏性聚合物组成物与具有可光致交联之基团的胺 化合物在50℃至90℃下起反应历1至12小时。 13.如申请专利范围第12项之方法,此方法包括将该 聚醯亚胺先质与光引发剂和光敏剂的至少一者混 合而获得光化辐射起敏性聚合物组成物。 图式简单说明: 第1图显示一幅略图举例说明:用以测定IR光谱中, 自醯亚胺基团所产生之吸收率之方法。 |
