| 发明名称 | 曝光装置、曝光方法及半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 为了提供一种能校正不能仅仅通过校正掩模图形的电子束描绘数据减小的曝光过程中图像位置误差的曝光装置和曝光方法，以及使用该方法的半导体器件制造方法，其中在与曝光姿势相反的姿势下测量掩模的图像位置R2(ST7)；考虑在曝光姿势下由重力引起的图形位移校正测量的图像位置R2，和基于校正的图像位置和设计数据之间的差制备第一校正数据Δ1(ST10)；以及基于第一校正数据Δ1使带电粒子束偏转，以校正曝光于被曝光体的图形的位置，来执行曝光。 | ||
| 申请公布号 | CN1735959A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN200380108525.7 | 申请日期 | 2003.11.13 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 大森真二;守屋茂;纳土晋一郎 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F1/16(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种曝光方法，包括以下步骤：测量相对于曝光姿势的反转姿势下的掩模的图像位置；考虑在所述曝光姿势下由重力引起的图形位移校正所述测量的图像位置，以基于被校正的图像位置与设计数据之间的差异制备第一校正数据；以及通过基于所述第一校正数据使带电粒子束偏转，以校正曝光于被曝光体上的图形的位置，来执行曝光。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||