发明名称 |
半导体存储器 |
摘要 |
一个半导体存储器防止在读取时降低容限。在特定的时间段内对在要被读取的存储单元中的漏极和被充电位线之间的一条处于浮置状态的位线进行充电。 |
申请公布号 |
CN1242417C |
申请公布日期 |
2006.02.15 |
申请号 |
CN03107621.1 |
申请日期 |
2003.03.21 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
山下実;永长祐一;木戶一成 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01);G11C16/26(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
1.一种基于虚拟接地方法的非易失性半导体存储器(1),该存储器包括:被设置为矩阵形状的多个存储单元(M1-M05,M11-M15);分别连接到在列方向上排列的存储单元的源极或漏极的多条位线(BL1-BL6);分别与所述多条位线相交并且分别连接到设置在行方向上的存储单元的栅极的多条字线(W0-W1);电流源电路(2),用于在读取时通过与被连接到所选择存储单元(M02)的漏极(d1)的位线(BL3)相连接而提供电流;预充电电路(4),用于在读取时对连接到第二未选择存储单元(M04)的与第一未选择存储单元(M03)相反的一侧的位线(BL5)进行充电,该第二未选择存储单元(M04)与第一未选择存储单元(M03)相邻,该第一未选择存储单元(M03)共用连接到所述被选择存储单元(M02)的漏极(d1)的位线(BL3);以及充电电路(ST),用于在读取时仅仅在特定的时间段内对由第一未选择存储单元(M03)和第二未选择存储单元(M04)所共用的位线(BL4)进行充电。 |
地址 |
日本神奈川 |