发明名称 |
结晶设备、结晶方法及调相装置 |
摘要 |
本发明的结晶设备用具有预定光强分布的光通量照射非单晶半导体膜(5),从而使该膜结晶,并且本发明的结晶设备包括含有多个以一定周期排列并且互相具有基本相同图案的单位区域的调相装置(1),以及布置在所述调相装置和所述非单晶半导体膜之间的光学成像系统(4)。所述调相装置的每个单位区域包括具有特定相位的基准面;布置在每个单位区域附近并且相对于所述基准面具有第一相位差的第一区域;以及布置在所述第一区域附近并且相对于所述基准面具有与所述第一相位差基本相同的相位差的第二区域。 |
申请公布号 |
CN1734720A |
申请公布日期 |
2006.02.15 |
申请号 |
CN200510068519.4 |
申请日期 |
2005.04.28 |
申请人 |
株式会社液晶先端技术开发中心 |
发明人 |
加藤智也;松村正清;谷口幸夫 |
分类号 |
H01L21/268(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/268(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
1、一种用具有预定光强分布的光通量照射非单晶半导体膜,从而使所述半导体膜结晶的结晶设备,其特征在于包括:调相装置(1),其包括多个以一定周期排列并且互相具有基本相同图案的单位区域(1a);及布置在所述调相装置(1)和非单晶半导体膜之间的光学成像系统(4),所述调相装置(1)的每个所述单位区域(1a)包括:具有特定相位的基准面(1aa);第一区域(1ab),其布置在每个单位区域(1a)中央附近,并且相对于所述基准面(1aa)具有第一相位差;及第二区域(1ac),其布置在所述第一区域(1ab)附近,并且相对于所述基准面(1aa)具有基本上与所述第一相位差相同的相位差。 |
地址 |
日本神奈川县 |